Сотрудники Samsung объявили, что компания приступила к производству модулей памяти eUFS для собственных смартфонов. Емкость новых модулей, разработанных для устройств следующего поколения, составляет 512 ГБ.
По словам представителей компании, для производства новых модулей были использованы чипы V-NAND с 64 слоями. Кроме того, специалистам Samsung удалось разработать новые технологии по управлению за питанием внутренней памяти, что позволило снизить расход энергии и увеличить производительность.
Скорее всего, новые модули вместимостью 512 ГБ будут использоваться в смартфонах Galaxy S9, презентация которых должна состояться в первом квартале 2018 года.